型号 |
SI7718DN-T1-GE3 |
厂商 |
Vishay Siliconix |
描述 |
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
SI7718DN-T1-GE3 PDF |
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代理商 |
SI7718DN-T1-GE3
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产品目录绘图 |
DN-T1-E3 Series 1212-8
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特色产品 |
N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET?
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标准包装 |
1 |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
30V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
35A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
6 毫欧 @ 10A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
2.5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
45nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
1600pF @ 15V
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功率 - 最大 |
52W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
PowerPAK? 1212-8
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供应商设备封装 |
PowerPAK? 1212-8
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1660 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
SI7718DN-T1-GE3CT
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